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CVD(化學氣相沉積)法
發布時間:2017-10-12 點擊率:765
CVD涂層是最早出現、也是最常見的涂層方法,已經沿用多年。CVD法是在一個化學反應容器內加熱基體,并將基體暴露于氣流之中。這些氣體在被加熱的基體表面分解,形成一層涂層。一般而言,CVD涂層需要的溫度約為1,000℃左右。
一種常見的CVD涂層是采用三種氣體——四氯化鈦(TiCl4)、氫氣(H2)和氮氣(N2)——來產生氮化鈦(TiN)+氯化氫(HCl)。HCl是該工藝的二次產物,必須按照嚴格的環保法規進行處理。
CVD法的優勢包括極佳的涂層粘附性,以及涂層分布的均勻性。CVD法的缺點是:涂層時的高溫會對基體產生不利影響,適用的涂層材料不多(因為涂層材料是以氣態形式提供的),以及工藝循環時間長。
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